新一代功率半導體方面，AlGaN比GaN更出色。這一研究成果是美國桑迪亞國家實驗室（Sandia National Laboratories）與美國Avogy公司聯名在“APEC 2016”上發表的。登臺演講的Robert J. Kaplar公布了用AlGaN試制的功率元件的特性。

　　AlGaN與GaN相比帶隙更寬、絕緣破壞強度更高，有望制造出損失比GaN低的功率元件。AlGaN是GaN與AlN的混合晶體。據Kaplar介紹，從理論上講，AlN的帶隙為6.2eV、絕緣破壞強度為15.9MV/cm，超過分別為3.4eV、3.3MV/cm的GaN。因此，AlGaN與GaN相比帶隙更寬、絕緣破壞強度更高。

　　在演講中，Kaplar主要介紹了兩種元件的特性。一是在GaN基板上制造的GaNPiN二極管。耐壓為3.9kV，導通電阻僅為1.9mΩcm2。芯片尺寸為數百μm見方。

　　另一個是AlGaNPiN二極管。在藍寶石基板上，用MOCVD法使Al0.3Ga0.7N生長。作為結晶缺陷之一的位錯的密度為1×1019/cm2～2×1019個/cm2。漂移層厚度為4.3μm，漂移層雜質濃度為1016/cm3左右。

　　耐壓為1.5kV，導通電阻僅為4mΩcm2。芯片尺寸為50μm見方左右。耐壓kV級的AlGaN PiN二極管據稱尚為世界首例。根據此次的結果推算，Al0.3Ga0.7N的絕緣破壞強度約為4MV/cm，超過了GaN的理論值.